引出了米勒振蕩，可以這么講，在高頻直流穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)中，米勒振蕩是一個(gè)很核心的一環(huán)，尤其是超過(guò)100KHz以上的頻率，而作者是做超高頻感應(yīng)加熱高頻直流穩(wěn)壓電源的，工作頻率在500K~1MHz范圍，功率大于5KW，拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)是LLC電路，H橋輸出，此外為了實(shí)現(xiàn)功率線性可調(diào)節(jié)，采用40Hz PWM調(diào)制，可以理解為H橋以25mS為周期，不停的開(kāi)始，關(guān)閉，而因?yàn)楦袘?yīng)加熱設(shè)備的負(fù)載是并聯(lián)LC諧振環(huán)，這樣每一次的開(kāi)始等價(jià)于輸出短路，所以開(kāi)始的10來(lái)個(gè)周期的高頻脈沖波形特別難看，米勒振蕩很嚴(yán)重，如下圖（Infineon C6 MOS管波形）：
大家知道Si MOS的Vgs電壓工作范圍為正負(fù)20V，超過(guò)這個(gè)電壓，柵極容易被擊穿，所以在米勒振蕩嚴(yán)重的場(chǎng)合，需要加限壓的穩(wěn)壓二極管，一般采用15V穩(wěn)壓二極管，有些采用15V的TVS管，響應(yīng)速度快，但是TVS管相比穩(wěn)壓二極管來(lái)說(shuō)，精度比較差，一致性不是很強(qiáng)，一般情況下還是推薦用穩(wěn)壓二極管。
上圖為MOS管GS之間并聯(lián)了穩(wěn)壓二極管，實(shí)現(xiàn)15V驅(qū)動(dòng)電壓鉗制。穩(wěn)壓二極管一般用于米勒振蕩嚴(yán)重的場(chǎng)合，尤其是頻率特別高的，對(duì)于波形良好的軟開(kāi)關(guān)，或者振蕩不明顯的硬開(kāi)關(guān)，不需要穩(wěn)壓二極管鉗制。
米勒振蕩若只是引起GS絕緣層擊穿，那么加穩(wěn)壓二極管很容易解決，問(wèn)題的關(guān)鍵在于，米勒振蕩往往引起二次開(kāi)關(guān)，也就是說(shuō)，導(dǎo)通了又關(guān)閉又導(dǎo)通，多次開(kāi)關(guān)，多次開(kāi)關(guān)帶來(lái)的直接效應(yīng)，就是開(kāi)關(guān)損耗急劇提升。
在高頻開(kāi)關(guān)中，MOS管的損耗分為導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗兩種，導(dǎo)通損耗也就是通常所說(shuō)的DS兩極導(dǎo)通后的歐姆熱損耗，然而在特別高的高頻下，導(dǎo)通損耗是次要的，開(kāi)關(guān)損耗上升為主要矛盾，所謂開(kāi)關(guān)損耗就是從關(guān)閉到導(dǎo)通，或者從導(dǎo)通到關(guān)閉，因?yàn)檫@個(gè)0->1, 1->0的過(guò)程中，有高壓，又有電流，所以這個(gè)損耗很大，最早開(kāi)關(guān)高頻直流穩(wěn)壓電源都是采用硬開(kāi)關(guān)的，而開(kāi)關(guān)損耗在硬開(kāi)關(guān)中表現(xiàn)突出，此外開(kāi)關(guān)損耗因?yàn)橛懈叩碾妷汉蛷?qiáng)的電流，瞬間功率很高，比如電壓310V，開(kāi)關(guān)時(shí)中間電流假設(shè)為10A，則瞬間功率就有3100W，沖擊性很強(qiáng)，容易導(dǎo)致MOS管局部損傷，所以為了解決硬開(kāi)關(guān)，引入了零電壓(ZVS)、零電流(ZCS)的軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，然而雖然軟開(kāi)關(guān)技術(shù)很好的解決了開(kāi)關(guān)損耗問(wèn)題，但是開(kāi)關(guān)損耗還是存在，只是大大降低了，但是米勒振蕩的多次開(kāi)關(guān)，又提升了開(kāi)關(guān)損耗。
米勒振蕩若只是以上兩點(diǎn)問(wèn)題，那還不是問(wèn)題的根本，最最讓設(shè)計(jì)者頭疼的是，在大功率拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中廣泛使用的H橋，米勒振蕩會(huì)存在一種可能，那就是上下管子恰好在某同一時(shí)刻導(dǎo)通，若導(dǎo)通的時(shí)間略長(zhǎng)一些，則引起上下管子通過(guò)的瞬間電流巨大，因?yàn)镸OS管的內(nèi)阻都很小，只有百毫歐級(jí)別，當(dāng)310V除以百毫歐姆電阻，產(chǎn)生的瞬間電流都在上百A，哪怕因?yàn)椴季€存在電感，實(shí)際這個(gè)電流小一些，但這個(gè)瞬間產(chǎn)生的功率還是巨大的，假設(shè)瞬間100A，則瞬間功率31000W，這么強(qiáng)的瞬間沖擊，很容易讓功率管損傷甚至燒壞而炸機(jī)。很多時(shí)候，短時(shí)間在公司測(cè)試OK，甚至十來(lái)天都OK，功率管溫度也不高，但是一到客戶哪兒就出問(wèn)題，往往跟這個(gè)有關(guān)。
總結(jié)以上，米勒振蕩引起三個(gè)問(wèn)題：
1、擊穿GS電壓，引入穩(wěn)壓二極管鉗制。
2、二次開(kāi)關(guān)，引入軟開(kāi)關(guān)。
3、上下管子導(dǎo)通，頭大，斗爭(zhēng)的重點(diǎn)，下一節(jié)講。
下圖為仿真的MOS管驅(qū)動(dòng)波形，大家可以看到里面有一個(gè)米勒振蕩，信號(hào)源為10V，100KHz
米勒振蕩的本質(zhì)是因?yàn)樵诟邏汉透咚匍_(kāi)關(guān)下，注意是高壓和高速開(kāi)關(guān)下，MOS管在高壓高速開(kāi)關(guān)下，就是一個(gè)典型的高增益負(fù)反饋系統(tǒng)，負(fù)反饋特別嚴(yán)重(上一節(jié)講到MOS管就是反相器)，高增益負(fù)反饋很容易引起振蕩，尤其是反饋還是電容，又引入了相位移動(dòng)，反饋相位接近270度。負(fù)反饋180度是穩(wěn)定點(diǎn)，360度是振蕩點(diǎn)，270度處于穩(wěn)定與振蕩點(diǎn)之間，所以強(qiáng)的負(fù)反饋會(huì)表現(xiàn)為衰減式振蕩。（通俗的理解：輸入因?yàn)橛须姼泻碗娮璧南蘖?，高壓下反饋突變信?hào)通過(guò)電容，因?yàn)椴黄胶庖鹫袷?，這個(gè)類似熱水器的溫控PID。）
相同條件下，低壓下因?yàn)樨?fù)反饋沒(méi)有這么劇烈，所以米勒振蕩會(huì)很小，一般高頻高頻直流穩(wěn)壓電源先用低壓100V測(cè)試，波形很好，看不到米勒振蕩，但是到了300V，波形就變差了。
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