晶閘管是一種電流控制型的雙極型半導體器件，它求門極驅(qū)動單元類似于一個電流源，能向晶閘管的門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖，以保證在任何時刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強烈的影響。采用強觸發(fā)方式可以使器件的開通時間縮短、開通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強。
一.觸發(fā)脈沖幅值對晶閘管開通的影響
晶閘管的門極觸發(fā)電流幅值對元件的開通速度有十分明顯的影響，高的門極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開通時間。
在觸發(fā)脈沖幅值僅為器件IGT時，器件雖可開通，但器件開通時間延遲明顯，會高達數(shù)十微妙，這對于整機設(shè)備的可靠控制、安全運行是不利的。
二.觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管開通的影響
觸發(fā)脈沖上升時間(陡度)對晶閘管的開通速度也有明顯的影響，觸發(fā)脈沖上升時間越長，效果就等于降低了門極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡，上升時間越短的情況下，晶閘管的開通時間也越短。
三.晶閘管可靠觸發(fā)對門極觸發(fā)源要求
(1) 一般要求：
觸發(fā)脈沖電流幅值：IG = 10 IGT;
脈沖上升時間：tr≤1μs;
(2) 高di/dt下運用：
器件在高di/dt下運用時，特別是當晶閘管的阻斷電壓很高時，在開通過程中門-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會超過門極電壓，嚴重時，甚至會使門極電流倒流。這種負的門極電流會引起開通損耗增加，可能會導致器件高di/dt損壞。
因此，我們要求在高di/dt下運用時，門極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V，或在門極線路上串聯(lián)二極管，防止門極電流倒流。
(3) 晶閘管串并聯(lián)使用
晶閘管的串聯(lián)：晶閘串聯(lián)管應用時，要求其相互串聯(lián)的每個晶閘管應盡可能地一致開通。晶閘管的并聯(lián)：陡而強的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開通特性的不平衡降至最小，從而使有最佳的均流效果。
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